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L2SA1037AKRLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 13:39:10 查看 閱讀�18

L2SA1037AKRLT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率開(kāi)�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù)�?xún)?yōu)化散熱性能和電氣特�,適用于高頻、高功率密度的設(shè)�(jì)�(chǎng)��
  它具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并減少能量損�。此�,該器件還內(nèi)置了多重保護(hù)�(jī)制,包括�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),從而提升了系統(tǒng)的可靠性和安全��

參數(shù)

型號(hào):L2SA1037AKRLT1G
  �(lèi)型:增強(qiáng)型氮化鎵功率晶體� (eGaN)
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�15 mΩ (典型值,25°C)
  擊穿電壓 (BVDSS)�600 V
  柵極閾值電� (Vgs(th))�1.5 V ~ 4 V
  最大漏極電� (Id)�37 A
  工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

L2SA1037AKRLT1G 的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠性:
  1. 氮化鎵材料的使用使其具備更低的導(dǎo)通電阻和更高的開(kāi)�(guān)頻率,相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET有明顯的�(yōu)�(shì)�
  2. �(nèi)置的靜電防護(hù) (ESD) �(jié)�(gòu)增強(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的抗干擾能力�
  3. 高達(dá)600V的耐壓等級(jí)確保其適用于高壓工業(yè)及汽�(chē)電子�(lǐng)域�
  4. 支持高達(dá)175°C的工作環(huán)境溫�,適�(yīng)惡劣條件下的�(yùn)行需��
  5. 通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)降低了寄生電�,提高了系統(tǒng)效率和穩(wěn)定��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色能源解決方��

�(yīng)�

該芯片適用于多種高性能電力電子�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源模��
  2. 工業(yè)用逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
  3. 太陽(yáng)能光伏逆變器以及儲(chǔ)能系�(tǒng)�
  4. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電器和�(chē)載DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 高頻AC-DC適配器與快充�(shè)��
  6. 電信基站電源和其他關(guān)鍵基�(chǔ)�(shè)施供電方��

替代型號(hào)

L2SA1037BKRLT1G, L2SA1037CKRLT1G

l2sa1037akrlt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)