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L2N7002KN3T5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 15:52:02 查看 閱讀�14

L2N7002KN3T5G 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的場(chǎng)景中�
  該型�(hào)屬于邏輯電平�(qū)�(dòng) MOSFET,能夠在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)高效的導(dǎo)通性能,非常適合電池供電設(shè)備和其他低功耗應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大連續(xù)漏電流:2.1A
  最大柵極源極電壓:±8V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.9Ω(典型�,Vgs=4.5V�
  柵極電荷�1.6nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=6ns,toff=16ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

L2N7002KN3T5G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低�(dǎo)通損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)能力,能夠支持高頻操作�
  3. 較低的柵極電� Qg,使得驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)單且高效�
  4. 支持邏輯電平�(qū)�(dòng),兼容常見的 3.3V � 5V �(shù)字信�(hào)源�
  5. 高度�(wěn)定的�(dòng)�(tài)性能和熱特�,適用于多種�(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用�
  6. 小型化封裝(SOT-23�,節(jié)� PCB 空間并適合緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該器件適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及負(fù)載開�(guān)�
  5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模��
  6. 通信�(shè)備中的信�(hào)切換和功率控��
  7. 一般用途的低壓、小電流開關(guān)或負(fù)載驅(qū)�(dòng)�

替代型號(hào)

L2N7002TR,PQFN,L2N7002K3T5G,SOT-23

l2n7002kn3t5g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)