L2N7002KLT1G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TOLL 封裝,具有低導通電阻和高效率的特�,適用于多種開關(guān)應用。其出色的性能使得它在汽車電子、工�(yè)控制和消費類電子�(chǎn)品中得到了廣泛應��
這款 MOSFET 的設計旨在支持大電流負載并提供卓越的熱性能,使其能夠承受嚴苛的工作�(huán)境。L2N7002KLT1G 具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,從而降低了開關(guān)損耗,提高了整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:70V
連續(xù)漏極電流�248A
導通電阻:3.6mΩ
柵極電荷�155nC
最大工作結(jié)溫:175�
封裝形式:TOLL
L2N7002KLT1G 提供了低導通電阻以減少功率損耗,并且具有較高的雪崩能�,增強了器件的魯棒性。此�,其快速開�(guān)特性有助于降低電磁干擾 (EMI),同時提高效�。TOLL 封裝提供了出色的散熱性能,允許更高的電流密度和更小的設計空間。此�,該器件符合 RoHS 標準,適合環(huán)保要求嚴格的應用場景�
主要特點包括�
1. 極低的導通電�,確保高效運��
2. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損��
3. 高電流承載能力,滿足大功率應用需��
4. 高溫操作能力,適用于惡劣�(huán)境�
5. 符合 AEC-Q101 標準,保證汽車級可靠性�
L2N7002KLT1G 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 汽車電子 - 包括電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng) (EPS)、制動系�(tǒng)、發(fā)動機管理��
2. 工業(yè)設備 - 如電機驅(qū)動器、逆變�、不間斷電源 (UPS) ��
3. 消費類電子產(chǎn)� - 例如適配器、充電器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的設備�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) - 用于保護電池組免受過充或過放的影��
5. 太陽能逆變� - 為太陽能�(fā)電系�(tǒng)提供高效的功率轉(zhuǎn)換功能�
L2N7002KTR1G, L2N7002KLR1G