KTK5133S-RTK是一種基于CMOS工藝的高頻功率晶體管,廣泛應(yīng)用于射頻和微波放大器電路中。該器件具有高增益、低噪聲和良好的線性度等特性,適用于無線通信系統(tǒng)中的射頻功率放大模塊。
此功率晶體管采用先進(jìn)的封裝技術(shù),確保其在高溫和高濕環(huán)境下依然保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備較高的輸出功率和效率。
集電極最大電流:2.7A
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:30V
發(fā)射極-基極擊穿電壓:6V
最高工作頻率:1GHz
增益帶寬積:200MHz
最大耗散功率:45W
存儲溫度范圍:-55℃ to +150℃
工作溫度范圍:-40℃ to +85℃
KTK5133S-RTK采用了增強(qiáng)型設(shè)計(jì),能夠在高頻條件下提供穩(wěn)定的功率輸出。其低熱阻封裝提高了散熱性能,從而增強(qiáng)了器件的可靠性。
此外,該晶體管擁有出色的線性度,能夠減少信號失真,非常適合用于需要高質(zhì)量信號傳輸?shù)膽?yīng)用場景。通過優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),它還能夠降低寄生電容的影響,進(jìn)一步提升高頻性能。
KTK5133S-RTK支持表面貼裝技術(shù)(SMD),使其更易于集成到現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備中。同時,其引腳布局經(jīng)過精心設(shè)計(jì),簡化了PCB布線過程,降低了電磁干擾的可能性。
該晶體管主要應(yīng)用于射頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制造,特別是在無線通信基站、衛(wèi)星通信設(shè)備以及雷達(dá)系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
此外,KTK5133S-RTK也適合用于廣播電視發(fā)射機(jī)、工業(yè)加熱設(shè)備以及其他需要高頻大功率輸出的場合。
由于其優(yōu)良的線性度和穩(wěn)定性,還可以被用作測試儀器中的信號放大組件,滿足精密測量的需求。
MRF5133N, BLF5133, RF5133