KTC3875S-GR是一種高性能、低功耗的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度�
該芯片適合于要求高效率和緊湊�(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景,并能夠承受一定的瞬態(tài)電壓沖擊。此外,KTC3875S-GR具備出色的熱性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�39nC
輸入電容�1690pF
工作溫度范圍�-55� to 175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低功率損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,有助于提高系統(tǒng)效率�
3. 較小的封裝尺�,方便布局與設(shè)�(jì)�(yōu)��
4. 具備較強(qiáng)的抗雪崩能力和魯棒性,確保在異常條件下的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
�(kāi)�(guān)電源中的功率�(kāi)�(guān)
DC-DC�(zhuǎn)換器
電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)
�(fù)載開(kāi)�(guān)
電池保護(hù)電路
汽車電子系統(tǒng)
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
IRF3710
FDP5500
AOT461
STP24NF06L