KSRV05-4MR6T1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能等特�,適合在高頻開關(guān)�(yīng)用中使用�
型號:KSRV05-4MR6T1G
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds):40V
最大柵極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):5.7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,Vgs=10V�
柵極電荷(Qg):38nC
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):35ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�
3. 先�(jìn)的溝槽技�(shù)使得芯片具備更小的尺寸和更高的功率密��
4. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
5. 緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,同�(shí)提供良好的散熱能��
6. 支持高電流輸出,滿足多種工業(yè)�(yīng)用需��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
2. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)電路中的功率級器件�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
6. LED �(qū)�(dòng)器中的高效功率轉(zhuǎn)換組件�
7. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率開�(guān)和保�(hù)電路�
KSRV05-4MR6T2G, KSRV05-4MR8T1G, FDP5800