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KQ0603TD10NH 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/31 0:00:27 查看 閱讀:7

KQ0603TD10NH是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的生產(chǎn)工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合。
  該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其封裝形式通常為TO-220或類似的標(biāo)準(zhǔn)封裝類型,能夠滿足工業(yè)級(jí)及消費(fèi)級(jí)電子產(chǎn)品的嚴(yán)格要求。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:10A
  導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷:35nC
  輸入電容:1250pF
  最大功耗:90W
  工作溫度范圍:-55℃ to 175℃

特性

KQ0603TD10NH具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和逆變器設(shè)計(jì)。
  3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
  4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力,增強(qiáng)了可靠性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合長(zhǎng)期使用。

應(yīng)用

KQ0603TD10NH廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的主開(kāi)關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中用于降壓或升壓操作。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)組件。

替代型號(hào)

IRF540N
  STP10NK60Z
  FDP5800

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