KFO5555ES3-ZIB1 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高電壓和高電流的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,適用于工業(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和新能源�(lǐng)域等�(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)��
該芯片通過�(yōu)化的溝槽式結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),在降低�(dǎo)通損耗的同時(shí)提高了系�(tǒng)的整體效�。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,能夠方便地集成到各種電路板中�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:0.07Ω
柵極電荷�80nC
開關(guān)頻率�100kHz-500kHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
KFO5555ES3-ZIB1 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力與低�(dǎo)通電阻的�(jié)合,這使其在硬開�(guān)和軟開關(guān)�(yīng)用中均表�(xiàn)出色。同�(shí),它具有快速的開關(guān)速度,從而減少開�(guān)損耗,并支持高頻操�。此�,其�(jiān)固的封裝�(shè)�(jì)確保了長(zhǎng)期使用的可靠性和�(wěn)定性�
該器件還�(nèi)置了多種保護(hù)�(jī)�,例如過流保�(hù)和熱�(guān)斷功�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的適�(yīng)能力。其�(yōu)異的熱性能允許更高的功率密�,適合緊湊型�(shè)�(jì)需求�
KFO5555ES3-ZIB1 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 太陽能逆變�
4. 電動(dòng)車充電系�(tǒng)
5. 不間斷電源(UPS�
6. LED �(qū)�(dòng)�
這些�(yīng)用場(chǎng)景都得益于其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和�(qiáng)大的�(fù)載承受能力�
KFO5555EP3-ZIB1
KFO5550ES3-ZIB1
IRFP460N
FDP55N65