KBU25005是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有出色的開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電�,適用于電源管理、射頻放大器以及高速數(shù)�(jù)�(zhuǎn)換等�(lǐng)域�
由于其材料特�,KBU25005能夠在高頻下保持高效能表�(xiàn),同�(shí)減少能量損�,是�(xiàn)代電子設(shè)備中�(guān)鍵的功率放大和轉(zhuǎn)換組��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�5A
輸出電容�15pF
柵極電荷�75nC
�(dǎo)通電阻:0.1Ω
工作溫度范圍�-55� � 150�
KBU25005采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)制造,具備卓越的熱性能和電氣性能。它支持高達(dá)幾百兆赫茲的工作頻率,并且擁有較低的寄生電感和電�,使得開(kāi)�(guān)速度更快,效率更��
此外,這款器件�(nèi)置了�(guò)流保�(hù)和靜電放電(ESD)保�(hù)功能,增�(qiáng)了可靠�。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,KBU25005在相同尺寸下提供了更高的功率密度和更低的能量損耗�
它的封裝形式通常為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和安�,同�(shí)�(yōu)化了散熱路徑以提升整體性能�
KBU25005廣泛�(yīng)用于高頻功率�(zhuǎn)換器、DC-DC變換�、無(wú)線充電模塊以及電�(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)等場(chǎng)��
在通信�(lǐng)域,它可作為射頻功率放大器的核心元件,用于基站、衛(wèi)星通信和其他無(wú)線傳輸設(shè)��
同時(shí),由于其高效的功率處理能�,也適合電動(dòng)車充電設(shè)�、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高性能電源管理的場(chǎng)合�
KBU25010
KBU28005
GaN064-080WS
TXGA25005