K9WAG08U1F-SIB0 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,屬于K9系列。該芯片采用MLC(多層單元)技術,具備高密度存儲能力和較快的數(shù)�(jù)傳輸速度,廣泛應用于消費類電子產(chǎn)�、嵌入式設備和工�(yè)領域。其封裝形式為BGA(球柵陣列),具有優(yōu)良的電氣性能和可靠性�
該型號的NAND閃存主要定位于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的應用場�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB閃存�、內存卡��
存儲容量�8GB
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
工作電壓VccIO�1.8V/3.3V
頁面�?�?KB
區(qū)塊大小:512KB
擦除周期�3000次(典型值)
�(shù)�(jù)保留時間�10年(�25°C條件下)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
封裝形式:BGA
K9WAG08U1F-SIB0 的一大特點是采用了先進的Toggle Mode 2.0接口技�,這使得它的讀寫速度顯著提高。此外,MLC技術的應用使其能夠在每個存儲單元中保存多位�(shù)�(jù),從而實�(xiàn)更高的存儲密度�
該芯片支持ONFI(開放NAND閃存接口)標�,并且具有強大的錯誤糾正能力(ECC�。內置的壞塊管理功能可以有效提升�(chǎn)品的可靠性和使用壽命�
另外,它還具備低功耗特�,非常適合對能效要求較高的便攜式設備使用�
K9WAG08U1F-SIB0 主要用于以下領域�
1. 固態(tài)硬盤(SSD�
2. USB閃存�
3. 內存卡(如SD�、MicroSD卡)
4. 智能手機和平板電腦中的內部存�
5. �(shù)碼相機和其他消費類電子設�
6. 工業(yè)控制設備和網(wǎng)絡通信設備中的�(shù)�(jù)記錄模塊
7. 嵌入式系�(tǒng)中的大容量存儲解決方�
K9WBG08U1M-SCK0, K9WCG08U1M-SGCB