K9WAG08U1B-PCB0 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片主要�(yīng)用于需要大容量存儲的場�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、嵌入式�(shè)備、消費類電子�(chǎn)品等。其�(shè)計注重高性能和高可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對快速數(shù)�(jù)訪問和大容量存儲的需求�
該型號的NAND閃存提供較高的數(shù)�(jù)吞吐�,支持多種接口協(xié)�,并且具備低功耗特性,適合對能耗敏感的�(yīng)用環(huán)��
存儲容量�8GB
存儲類型:MLC NAND Flash
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
工作溫度�0°C � +70°C(商用級�
封裝形式:TSOP
頁面�?�?KB
區(qū)塊大?�?12KB
�(shù)�(jù)保留時間�10�
擦寫周期�3000�
K9WAG08U1B-PCB0 具備以下特點�
1. 高性能:采用Toggle Mode 2.0接口,支持高�400MT/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,可顯著提升�(shù)�(jù)讀寫速度�
2. 大容量:單顆芯片即可提供8GB的存儲空�,適用于需要較大存儲空間的�(yīng)用場��
3. 可靠性:基于三星成熟的MLC技�(shù),具備較長的�(shù)�(jù)保留時間和較高的擦寫耐久性�
4. 節(jié)能環(huán)保:工作電壓�1.8V,相比傳�(tǒng)3.3V器件更加節(jié)�,有助于降低整體系統(tǒng)功��
5. 小型化設(shè)計:采用TSOP封裝形式,具有較小的體積和較輕的重量,適合緊湊型�(shè)��
這款NAND閃存芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主存儲介�(zhì),用于提高SSD的容量和性能�
2. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制�(shè)�、醫(yī)療設(shè)�、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等,提供可靠的大容量存儲�
3. 消費類電子產(chǎn)品:如智能手�、平板電腦、數(shù)碼相機等,滿足多媒體文件的存儲需��
4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:在需要本地數(shù)�(jù)存儲的智能設(shè)備中使用,例如智能家居控制器和可穿戴�(shè)��
K9WBG08U1M-PCK0, K9WCG08U1A-PCC0