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K9NCG08U5M-PIB0 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/19 8:46:23 查看 閱讀：13

K9NCG08U5M-PIB0是三星（Samsung）生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片，采用MLC（多層單元）技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。該芯片具有高密度、低功耗和高性能的特點(diǎn)，適用于各種嵌入式系統(tǒng)、固態(tài)硬盤（SSD）和其他需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備。
　　這款NAND閃存支持ONFI（開放NAND閃存接口）標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的數(shù)據(jù)傳輸和可靠的存儲(chǔ)性能。

參數(shù)

容量：8GB
　　存儲(chǔ)類型：MLC NAND Flash
　　接口標(biāo)準(zhǔn)：ONFI 3.0
　　工作電壓Vcc：2.7V~3.6V
　　工作電壓VccQ：1.7V~1.9V
　　頁(yè)大�。�16KB
　　區(qū)塊大�。�2MB
　　最大讀取速度：40 MB/s
　　最大寫入速度：20 MB/s
　　擦除區(qū)塊數(shù)：1024
　　ECC要求：1bit/512Byte

特性

K9NCG08U5M-PIB0具備高可靠性和長(zhǎng)壽命的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，其MLC技術(shù)允許每個(gè)存儲(chǔ)單元保存2位數(shù)據(jù)，從而在相同物理空間內(nèi)提供更大的存儲(chǔ)容量。
　　芯片支持強(qiáng)大的錯(cuò)誤校正碼（ECC）功能，確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的完整性。同時(shí)，通過ONFI接口，該芯片可以輕松集成到各種主控方案中，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程。
　　此外，它還具有較低的工作電壓范圍，有助于降低整體系統(tǒng)的能耗，非常適合對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

K9NCG08U5M-PIB0廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)領(lǐng)域，包括但不限于：
　　- 固態(tài)硬盤（SSD）
　　- USB閃存盤
　　- 嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備
　　- 數(shù)字電視和機(jī)頂盒
　　- 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備
　　- 工業(yè)控制和監(jiān)控系統(tǒng)
　　由于其大容量和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，該芯片成為需要高密度存儲(chǔ)解決方案的理想選擇。

替代型號(hào)

K9NCG08U5D, K9NCG08U1M

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