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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K9NCG08U5M-PCK0

K9NCG08U5M-PCK0 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:30:48 查看 閱讀�24

K9NCG08U5M-PCK0是三星(Samsung)公司生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片廣泛�(yīng)用于�(shù)�(jù)存儲�(shè)備中,如固態(tài)硬盤(SSD�、USB閃存盤和嵌入式存儲解決方�。其高密度存儲能力和較快的讀寫速度使其成為需要大容量、高性能存儲�(yīng)用的理想選擇�
  該型號屬于三星K9系列NAND閃存�(chǎn)品線,具有較�(qiáng)的可靠性和�(wěn)定性,同時支持多種接口和協(xié)�,便于在不同類型的電子設(shè)備中使用�

參數(shù)

存儲容量�8GB
  存儲類型:MLC NAND Flash
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:WSP53 (7mm x 9mm)
  頁大?�?6KB
  塊大?�?MB
  �(shù)�(jù)保存時間�10�
  擦寫周期�3000�

特�

K9NCG08U5M-PCK0具備以下主要特性:
  1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供8GB的存儲容�,適合需要大容量存儲的應(yīng)用場��
  2. 快速讀寫性能:采用Toggle Mode 2.0接口,提供更高的�(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代高速存儲需求�
  3. 多層單元技�(shù):MLC技�(shù)使得該芯片能夠在每個存儲單元中保存多位�(shù)�(jù),從而提高存儲密��
  4. �(wěn)定性與可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗證流程,確保在各種環(huán)境下都能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-40°C�+85°C的工作溫度范�,適�(yīng)不同的環(huán)境條件�
  6. 長數(shù)�(jù)保存時間:即使在斷電情況�,數(shù)�(jù)也能保存長達(dá)10年之��
  7. 較高的擦寫壽命:可承受高�(dá)3000次的擦寫周期,延長了芯片的使用壽命�

�(yīng)�

K9NCG08U5M-PCK0適用于以下領(lǐng)域和�(shè)備:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):
   - 提供快速的�(shù)�(jù)訪問和存儲能�,用于消費級和企�(yè)級SSD�
  2. USB閃存盤:
   - 為移動存儲設(shè)備提供大容量和高性能的存儲解決方��
  3. 嵌入式系�(tǒng)�
   - 在工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備等嵌入式系�(tǒng)中作為主存儲��
  4. 智能手機(jī)和平板電腦:
   - 用作�(nèi)部存儲介�(zhì),支持高清多媒體文件的存儲和快速加��
  5. �(shù)碼相�(jī)和攝像機(jī)�
   - 提供足夠的存儲空間以保存高質(zhì)量的照片和視頻文件�
  6. �(wǎng)�(luò)存儲�(shè)備:
   - 在NAS(網(wǎng)�(luò)附加存儲)設(shè)備中作為主要存儲介質(zhì),支持多用戶�(shù)�(jù)共享和備��

替代型號

K9NCG08U1M, K9NCG08U5M-BCK0, K9NCG08U5M-DCK0

k9ncg08u5m-pck0推薦供應(yīng)� 更多>

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