K9G8G08UOM-PCBO 是一款由三星(Samsung)制造的 NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于需要大容量存儲的設(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝,具有高可靠性和高性能的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn),支持多比特糾錯和高速數(shù)�(jù)傳輸,廣泛用于消�(fèi)類電子產(chǎn)�、嵌入式系統(tǒng)和工�(yè)�(yīng)��
這款 NAND 閃存芯片具有良好的讀寫性能和較低的功耗,適合需要長期穩(wěn)定運(yùn)行的場景�
容量�64Gb
接口:Toggle Mode 2.0 / ONFI 3.0
工作電壓:Vcc=1.8V ±0.1V, Vccq=1.8V ±0.1V
封裝形式:WSON (Write Speed Optimized NAND)
頁大小:16KB + 512 Bytes ECC
塊大小:512 Pages
擦除次數(shù)�3000次典型�
�(shù)�(jù)保持能力�10年(�25°C下)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
K9G8G08UOM-PCBO 芯片采用� MLC(多層單元)技�(shù),每個存儲單元可以保存兩位數(shù)�(jù),從而實(shí)�(xiàn)更高的存儲密��
該芯片支� Toggle Mode 2.0 � ONFI 3.0 接口�(guī)�,能夠提供高�(dá) 200MB/s 的順序讀取速度� 120MB/s 的順�?qū)懭胨俣取?br> �(nèi)置的壞塊管理功能可以自動處理損壞的存儲塊,確保數(shù)�(jù)完整��
支持 BCH ECC(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem Error Correction Code),能有效糾正數(shù)�(jù)傳輸過程中的錯誤,提升數(shù)�(jù)可靠性�
芯片具有低功耗特�,在待機(jī)模式下的電流消耗極�,非常適合電池供電設(shè)備使用�
此外,該芯片具備全面的數(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)制,包括�(shù)�(jù)刷新和磨損均衡算�,�(jìn)一步延長了使用壽命�
K9G8G08UOM-PCBO 廣泛�(yīng)用于各種需要大容量存儲的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存盤、記憶卡、平板電�、智能手�(jī)和其他便攜式電子�(shè)備�
它也適用于網(wǎng)�(luò)存儲�(shè)�、工�(yè)控制�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)等對存儲性能和穩(wěn)定性要求較高的�(lǐng)��
由于其支持多種接口協(xié)�,該芯片還可用于開發(fā)定制化的存儲解決方案,滿足特定應(yīng)用需��
K9G8G08U0C-PCCO
K9G8G08U1M-PCKE
K9G8G08U5M-PCKA