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K9F1G08UOM-YCBO 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 7:44:24 查看 閱讀:6

K9F1G08UOM-YCBO是三星(Samsung)公司生產(chǎn)的一款NAND Flash存儲(chǔ)芯片。該芯片采用先進(jìn)的閃存技術(shù),具有高容量、高性能和低功耗的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,例如嵌入式系統(tǒng)、移動(dòng)設(shè)備和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等。此型號(hào)屬于1Gb(128MB)的NAND Flash系列,支持標(biāo)準(zhǔn)的NAND接口協(xié)議,適用于需要高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取的應(yīng)用場(chǎng)景。
  這款芯片在設(shè)計(jì)上注重可靠性和耐用性,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)應(yīng)用。其封裝形式為TSOP-48,方便集成到各種電路板設(shè)計(jì)中。

參數(shù)

容量:1Gb (128MB)
  接口類型:NAND
  工作電壓Vcc:3.3V ± 0.3V
  工作電壓VccI/O:1.8V ± 0.2V
  封裝形式:TSOP-48
  頁(yè)大�。�512 Bytes
  塊大�。�16KB
  數(shù)據(jù)傳輸速率:最大20 MB/s
  工作溫度范圍:-40°C ~ +85°C
  存儲(chǔ)溫度范圍:-40°C ~ +125°C

特性

K9F1G08UOM-YCBO采用了三星先進(jìn)的NAND閃存技術(shù),具備以下特點(diǎn):
  1. 高存儲(chǔ)密度:?jiǎn)晤w芯片即可提供1Gb的存儲(chǔ)容量,滿足對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求。
  2. 快速的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度:支持高達(dá)20MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,顯著提升系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
  3. 可靠性高:通過(guò)內(nèi)置的錯(cuò)誤校正碼(ECC)機(jī)制,有效減少數(shù)據(jù)傳輸中的誤碼率,確保數(shù)據(jù)的完整性。
  4. 節(jié)能設(shè)計(jì):優(yōu)化的電源管理方案使芯片在工作時(shí)保持較低的功耗,延長(zhǎng)設(shè)備電池壽命。
  5. 穩(wěn)定的工作性能:能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
  6. 小型化封裝:TSOP-48封裝使得該芯片能夠輕松集成到空間受限的電路設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

K9F1G08UOM-YCBO主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 嵌入式系統(tǒng):如工業(yè)控制設(shè)備、智能家居控制器和汽車電子系統(tǒng)等,提供可靠的存儲(chǔ)解決方案。
  2. 移動(dòng)設(shè)備:包括智能手機(jī)、平板電腦和便攜式多媒體播放器等,用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。
  3. 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備:如USB閃存盤、SD卡和其他外部存儲(chǔ)介質(zhì),作為主要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。
  4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:路由器、交換機(jī)和基站等設(shè)備中的固件存儲(chǔ)和日志記錄功能。
  5. 醫(yī)療設(shè)備:如便攜式醫(yī)療監(jiān)測(cè)儀和診斷設(shè)備,提供快速且穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。

替代型號(hào)

K9F1G08U0M, K9F1G08R0M, K9F1G08UOB

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