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K9F1G08U0E-SIB0 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 17:51:15 查看 閱讀�24

K9F1G08U0E-SIB0 是三星(Samsung)推出的一� NAND Flash 存儲芯片,屬于早期的 1Gb�128MB)容量存儲器�。該芯片采用 3.3V 供電�(shè)計,支持�(biāo)�(zhǔn)� NAND Flash 接口�(xié)議,廣泛�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、數(shù)�(jù)存儲�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
  這款芯片在當(dāng)時代表了 NAND Flash 技�(shù)的發(fā)展方�,提供了較高的存儲密度和較低的成本,同時具備較快的數(shù)�(jù)讀寫速度。隨著技�(shù)的�(jìn)步,雖然其容量已�(jīng)無法滿足�(xiàn)代應(yīng)用需�,但在某些對成本敏感或低功耗要求的�(yīng)用場景中仍然具有一定的使用價��

參數(shù)

容量�1Gb (128MB)
  接口類型:NAND Flash
  工作電壓�3.3V
  封裝形式:TSOP-48
  �(shù)�(jù)寬度�8�
  頁大小:512字節(jié)
  塊大?�?6KB
  擦寫壽命:約100,000�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

K9F1G08U0E-SIB0 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高存儲密度:作為早期� NAND Flash 芯片之一,其 1Gb 容量在當(dāng)時已屬于較高水平�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支持標(biāo)�(zhǔn) NAND Flash �(xié)�,能�?qū)崿F(xiàn)快速的�(shù)�(jù)讀取與寫入操作�
  3. 可靠性高:提供高�(dá) 100,000 次的擦寫壽命,并且具備良好的�(shù)�(jù)保持能力�
  4. 封裝緊湊:采� TSOP-48 封裝形式,適合空間受限的�(yīng)用場��
  5. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(shè)計使其能夠在較低功耗下�(yùn)�,適用于便攜式設(shè)��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持工業(yè)級工作溫度范圍(-40°C � +85°C�,適�(yīng)多種�(huán)境條件�

�(yīng)�

K9F1G08U0E-SIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 嵌入式系�(tǒng):為微控制器和其他嵌入式處理器提供外部存儲擴(kuò)��
  2. �(shù)�(jù)存儲�(shè)備:用于早期� USB 存儲盤、存儲卡等便攜式存儲介質(zhì)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:� MP3 播放器、數(shù)碼相�(jī)等需要一定存儲容量的�(chǎn)��
  4. 工業(yè)控制:在一些對成本和功耗敏感的工業(yè)�(yīng)用中作為�(shù)�(jù)記錄存儲�
  5. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:用作固件存儲或日志記錄等功能�
  盡管其容量相對較�,但在特定場景下依然有其�(dú)特的�(yīng)用價值�

替代型號

K9F1G08U0D, K9F1G08U0M, K9F1G08U0A

k9f1g08u0e-sib0推薦供應(yīng)� 更多>

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