K6T2008V2A-YF85 是一款由韓國廠商生產(chǎn)� SRAM(靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片,廣泛應(yīng)用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和臨時(shí)存儲(chǔ)的場�。該型號(hào)屬于 K6T 系列,采� CMOS 工藝制�,具有低功�、高�(wěn)定性和快速訪問時(shí)間的特點(diǎn)。其封裝形式� BGA(球柵陣列封裝),引腳數(shù)� 85,適合用于嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)�、工�(yè)控制等領(lǐng)域�
存儲(chǔ)容量�2Mb�262,144 � x 8 位)
工作電壓�1.71V � 1.98V
訪問�(shí)間:45ns
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:無限期(在規(guī)定的工作條件下)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:BGA-85
接口類型:同�
工藝制程:CMOS
K6T2008V2A-YF85 提供了出色的性能和可靠性,其主要特性包括:
1. 高速訪問能�,支持高�(dá) 45ns 的存取時(shí)間�
2. 超低功耗設(shè)�(jì),適用于對能效要求較高的�(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的抗干擾能力,確保�(shù)�(jù)完整��
4. 寬工作溫度范�,能夠適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的運(yùn)行需��
5. 支持同步接口,便于與�(xiàn)代處理器�(jìn)行無縫連接�
6. �(shù)�(jù)保留�(shí)間無�,確保在斷電情況下數(shù)�(jù)不會(huì)丟失�
這些特性使� K6T2008V2A-YF85 成為許多高性能系統(tǒng)的理想選��
這款 SRAM 芯片適用于多種應(yīng)用場景,包括但不限于�
1. 嵌入式系�(tǒng)中的緩存模塊�
2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理�
3. �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)中的包緩沖區(qū)�
4. �(yī)療成像設(shè)備中的圖像處理任�(wù)�
5. 游戲�(jī)和其他消�(fèi)電子�(chǎn)品的臨時(shí)存儲(chǔ)�
K6T2008V2A-YF85 憑借其高速度和低功耗,在上述領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,滿足了不同行業(yè)對高性能存儲(chǔ)的需��
K6T2008V2A-YF72, K6T1008V2A-YF85, AS6C4008