K5N5666ATD-BQ12 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的高密度 NAND 閃存芯片,采用先�(jìn)的制程工藝制�。該芯片主要用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存�、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品等。其�(shè)�(jì)旨在提供高效的寫入和讀取速度,同�(shí)保持較低的功耗水��
這款 NAND 閃存芯片支持多種接口�(biāo)�(zhǔn),并具備糾錯(cuò)碼(ECC)功能以提高�(shù)�(jù)可靠�。它具有多平面操作能�,可以顯著提升性能,尤其在連續(xù)寫入和隨�(jī)讀取任�(wù)中表�(xiàn)突出�
容量�64Gb
接口:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝類型:BGA
引腳�(shù)�169
溫度范圍�-40°C � +85°C
頁面�?�?6KB
區(qū)塊大?�?12KB
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
K5N5666ATD-BQ12 是基� MLC(多層單元)技�(shù)� NAND 閃存芯片,具備以下特�(diǎn)�
1. 高密度存�(chǔ):單顆芯片即可提� 64Gb 的存�(chǔ)容量,適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)��
2. 多平面操作:支持同時(shí)�(duì)多�(gè)平面�(jìn)行操作,從而大幅提升數(shù)�(jù)吞吐��
3. ECC 支持:內(nèi)置硬件糾�(cuò)功能,可有效減少�(shù)�(jù)�(cuò)�,確保數(shù)�(jù)完整性�
4. 快速接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口,支持高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
5. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(shè)�(jì)使其在運(yùn)行過程中消耗更少的電能,延長設(shè)備電池壽命�
6. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)從工�(yè)�(jí)低溫到高溫的各種�(huán)�,保證了�(chǎn)品的可靠��
K5N5666ATD-BQ12 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存�(chǔ)單元,提供高速的�(shù)�(jù)訪問能力�
2. USB 閃存盤:用于生產(chǎn)高性能 U �,滿足用戶對(duì)快速文件傳�?shù)男枨�?br> 3. 嵌入式系�(tǒng):廣泛應(yīng)用于各類嵌入式設(shè)備中,如智能電視�>4. 消費(fèi)電子:包括智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的外部存儲(chǔ)�(kuò)展�
5. 工業(yè)控制:由于其寬溫特性和高可靠�,也適合于工�(yè)自動(dòng)化和�(jiān)控系�(tǒng)等領(lǐng)��
K5P5616UHM-DG12, KLMAG4R7EM-B031, KLNAG4R2EM-B031