K524G2GACJ-B050 時(shí)間：2025/5/23 2:43:25 閱讀：13

K524G2GACJ-B050 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒芯片，廣泛應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和其他需要高性能內(nèi)存的電子設(shè)備中。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造，具備高帶寬、低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算對(duì)內(nèi)存性能日益增長的需求。
　　DDR4（Double Data Rate Fourth Generation）技術(shù)相比前代 DDR3 提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的工作電壓，從而實(shí)現(xiàn)更高效的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

類型：DRAM
　　容量：2Gb
　　位寬：8Gb
　　I/O 寬度：x8
　　接口：DDR4
　　工作電壓：1.2V
　　數(shù)據(jù)速率：2400Mbps
　　封裝形式：BGA
　　引腳數(shù)：78-ball
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

K524G2GACJ-B050 具有以下顯著特性：
　　1. 高速數(shù)據(jù)傳輸：支持高達(dá) 2400Mbps 的數(shù)據(jù)速率，適合處理大量數(shù)據(jù)的任務(wù)。
　　2. 節(jié)能設(shè)計(jì)：采用 1.2V 的低工作電壓，相比 DDR3 的 1.5V 工作電壓，有效降低功耗。
　　3. 穩(wěn)定性與可靠性：內(nèi)置 ECC（Error Correction Code）功能，能夠檢測(cè)并糾正單比特錯(cuò)誤，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
　　4. 小型化封裝：使用 BGA（Ball Grid Array）封裝技術(shù)，體積小，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 廣泛適用性：適用于桌面級(jí)、移動(dòng)級(jí)以及企業(yè)級(jí)的多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括游戲、圖形處理和大數(shù)據(jù)分析等。

應(yīng)用

K524G2GACJ-B050 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊：用于構(gòu)建 DDR4 SO-DIMM 和 DIMM 模塊，為臺(tái)式機(jī)和筆記本提供高效內(nèi)存支持。
　　2. 服務(wù)器和工作站：滿足多任務(wù)處理和虛擬化環(huán)境下的高性能需求。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)：在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和通信設(shè)備中作為關(guān)鍵存儲(chǔ)組件。
　　4. 游戲和圖形處理：支持高端顯卡和游戲主機(jī)，確保流暢的用戶體驗(yàn)。