K4T51163QQ-BCE6 是由三星(Samsung)生產的一� DDR4 內存顆粒芯片,主要應用于計算機內存條、服務器以及嵌入式設備等需要高性能�(shù)�(jù)存儲和處理的場景。該型號采用先進的制程工藝制造,具備高頻�、低功耗以及穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
DDR4 技術在內存領域占據(jù)重要地位,其更高的傳輸速率和更低的工作電壓相較� DDR3 提供了顯著的�(yōu)��
類型:DRAM
標準:DDR4
容量�8Gb (1Gb x 8)
核心組織�16-bank
工作電壓�1.2V
接口:BGA 封裝
速度�3200Mbps
封裝:BCE6
工作溫度�-40°C � +85°C
K4T51163QQ-BCE6 具備以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 3200Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計算設備對高性能內存的需��
2. 低功耗設計:工作電壓� 1.2V,相比前� DDR3 芯片降低了功耗,提升了能效比�
3. �(wěn)定性與可靠性:通過�(yōu)化內部電路設計和采用高質量材�,確保芯片在極端溫度范圍內的�(wěn)定運��
4. 兼容性強:符� JEDEC DDR4 標準,可廣泛適用于多種平臺和系統(tǒng)架構�
5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝技�,具有更小的尺寸和更高的引腳密度,適合高密度 PCB 設計需求�
K4T51163QQ-BCE6 廣泛應用于以下領域:
1. 臺式電腦和筆記本電腦的內存條�
2. �(shù)�(jù)中心和企�(yè)級服務器的高容量內存模塊�
3. 工業(yè)控制設備及嵌入式系統(tǒng)的高速數(shù)�(jù)緩存�
4. 游戲主機和其他高性能計算設備中的關鍵存儲組件�
5. 特殊用途硬件如�(wǎng)絡設備、安防監(jiān)控系�(tǒng)等需要高效數(shù)�(jù)處理能力的產品中�
K4T51163QH-BCE7
K4T51163QH-DGC7
K4T51163QF-DGC7