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K4T51163QG-HCE7 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:39:37 查看 閱讀�28

K4T51163QG-HCE7 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 內存顆粒芯片,主要應用于臺式�、筆記本電腦、服務器和其他需要高性能內存支持的電子設備中。該型號采用了先進的制程工藝,在性能和功耗之間實�(xiàn)了良好的平衡,適合高頻率運行�(huán)��
  DDR4 相較于前� DDR3 具有更高的數(shù)�(jù)傳輸速率、更低的工作電壓以及更大的存儲密�。K4T51163QG-HCE7 支持 ECC 錯誤校驗功能,適用于對數(shù)�(jù)可靠性要求較高的場景�

參數(shù)

容量�8Gb (1GB)
  類型:DDR4 DRAM
  組織結構�512M x 16
  工作電壓�1.2V
  接口:BGA 封裝
  I/O 電壓�1.2V
  速度�3200Mbps
  溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝:BGA 92 �

特�

K4T51163QG-HCE7 屬于高性能 DDR4 內存芯片系列,具有以下顯著特點:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 3200Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計算任務的需��
  2. 節(jié)能設計:采用 1.2V 工作電壓,相� DDR3 � 1.5V 更加節(jié)��
  3. 可靠性強:支� ECC 功能,能夠在檢測到單比特錯誤時進行自動糾正,提高數(shù)�(jù)完整��
  4. 先進工藝:使用了三星領先的半導體制造技�,具備高密度和低功耗特性�
  5. 廣泛兼容:適配多種主流平�,支� JEDEC 標準�

應用

該芯片廣泛應用于需要高性能內存的領�,包括但不限于:
  1. 臺式電腦及筆記本電腦內存模塊
  2. �(shù)�(jù)中心與企�(yè)級服務器
  3. 工業(yè)控制設備
  4. �(yī)療成像設�
  5. 嵌入式系�(tǒng)中的大容量存儲需�
  K4T51163QG-HCE7 的高速率和高可靠性使其成為上述應用的理想選擇�

替代型號

K4T51163QF-HCE7
  K4T51163QH-HCE7
  K4T51163QG-HCE8

k4t51163qg-hce7推薦供應� 更多>

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