時間：2025/5/23 0:02:57
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K4T1G164QE-HCE6 是由三星（Samsung）生產(chǎn)的一款 DDR4 內(nèi)存顆粒芯片。該芯片主要用于計算機內(nèi)存條、服務器以及各種需要高性能數(shù)據(jù)處理的電子設備中。DDR4 相較于之前的 DDR3，具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的工作電壓，從而提高了效率并降低了功耗。
該型號屬于高密度存儲芯片，能夠滿足現(xiàn)代計算設備對大容量和高速度內(nèi)存的需求。
類型：DRAM
接口：DDR4
容量：1Gb (128Mb x 8)
工作電壓：1.2V
封裝形式：BGA
數(shù)據(jù)速率：3200 MT/s
I/O 引腳數(shù)：78
工作溫度：-40°C to +85°C
K4T1G164QE-HCE6 具備以下顯著特性：
1. 高速性能：支持高達 3200MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體運行速度。
2. 節(jié)能設計：采用 1.2V 工作電壓，相比 DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
3. 穩(wěn)定性：經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和測試，確保在各種應用場景下具備出色的穩(wěn)定性和可靠性。
4. 小型化封裝：使用 BGA 封裝技術(shù)，有助于減小 PCB 占用空間，適合緊湊型設計。
5. 廣泛兼容：適用于多種平臺和架構(gòu)，包括臺式機、筆記本電腦和服務器等。
K4T1G164QE-HCE6 主要應用于以下領(lǐng)域：
1. 計算機內(nèi)存條：廣泛用于臺式機和筆記本電腦的 DDR4 內(nèi)存模塊中。
2. 服務器和數(shù)據(jù)中心：為服務器提供大容量、高性能的內(nèi)存支持。
3. 工業(yè)設備：應用于工業(yè)自動化系統(tǒng)、醫(yī)療設備以及其他對內(nèi)存性能要求較高的場景。
4. 嵌入式系統(tǒng)：適用于需要高效數(shù)據(jù)處理能力的嵌入式解決方案。
5. 游戲硬件：支持高性能的游戲主機和顯卡內(nèi)存需求。
K4T1G164QF-HCJ6
K4T1G164QD-HCC6
K4T1G164QC-HCD6
