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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > K4T1G044QQ-HCE6

K4T1G044QQ-HCE6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 14:03:44 查看 閱讀�19

K4T1G044QQ-HCE6 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR4 �(nèi)存顆粒芯片,廣泛�(yīng)用于�(tái)式機(jī)、筆記本電腦和服�(wù)器等�(shè)備中。該型號(hào)采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高帶寬、低功耗的特�,支� JEDEC �(biāo)�(zhǔn),適用于�(gòu)建高性能�(jì)算系�(tǒng)�
  這款�(nèi)存芯片內(nèi)部采用了 8Gb 容量�(shè)�(jì),通過(guò)組合多顆芯片可實(shí)�(xiàn)更大容量的內(nèi)存模�,例� 8GB � 16GB � DIMM � SO-DIMM 模塊�

參數(shù)

類型:DDR4 DRAM
  容量�8Gb (1GB)
  電壓�1.2V
  速度�3200Mbps
  封裝:BGA 78-ball
  I/O �(biāo)�(zhǔn)�1.2V DDR4
  組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
  溫度范圍�-40°C � +95°C
  工作頻率�3200MT/s

特�

K4T1G044QQ-HCE6 提供了出色的性能表現(xiàn)和穩(wěn)定�。其主要特性包括:
  1. 高速傳輸:支持高達(dá) 3200Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代應(yīng)用對(duì)帶寬的需��
  2. 低功耗設(shè)�(jì):采� 1.2V 電壓�(biāo)�(zhǔn),相比前� DDR3 芯片降低了功耗�
  3. 先�(jìn)工藝:基于三星領(lǐng)先的半導(dǎo)體技�(shù)制�,提升了可靠性和效率�
  4. 廣泛兼容性:遵循 JEDEC DDR4 �(biāo)�(zhǔn),確保與主流主板及系�(tǒng)的兼容性�
  5. �(wěn)定性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,保證在各種工作�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

K4T1G044QQ-HCE6 主要�(yīng)用于需要高性能�(nèi)存支持的�(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(tái)式電腦:用于�(gòu)建高效能的游戲主�(jī)或工作站�
  2. 筆記本電腦:為輕薄型筆記本提供足夠的�(nèi)存支��
  3. 服務(wù)器:適合�(shù)�(jù)中心或企�(yè)�(jí)服務(wù)器使用,以提高數(shù)�(jù)處理能力�
  4. 工業(yè)�(jì)算機(jī):在工業(yè)自動(dòng)化和嵌入式系�(tǒng)中作為核心存�(chǔ)部件�
  5. �(shù)�(jù)密集型應(yīng)用:如人工智�、大�(shù)�(jù)分析等領(lǐng)�,能夠有效加速數(shù)�(jù)讀取和處理�(guò)��

替代型號(hào)

K4T1G164QF-HCJ1
  K4T1G084QB-HCK1
  K4T8G164QH-HCQ1

k4t1g044qq-hce6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)