K4S511632B-TC75 時(shí)間：2025/5/29 8:32:30 閱讀：6

K4S511632B-TC75 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）芯片，屬于同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）類別。該芯片主要應(yīng)用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸和較大存儲(chǔ)容量的設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)主板、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)等。其設(shè)計(jì)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，支持多種時(shí)鐘頻率下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　這款芯片采用了先進(jìn)的制程工藝，確保了低功耗與高性能之間的平衡。它具有高可靠性、低延遲的特點(diǎn)，適合用于對性能要求較高的應(yīng)用場景。

參數(shù)

容量：16Mb（2M x 8位）
　　類型：SDRAM
　　工作電壓：3.3V
　　封裝形式：TSOP-II（薄型小外形封裝）
　　引腳數(shù)：46
　　組織結(jié)構(gòu)：2M x 8位
　　存取時(shí)間：7.5ns
　　工作頻率：最高133MHz
　　接口類型：同步接口
　　數(shù)據(jù)寬度：8位
　　刷新周期：最長8192us

特性

K4S511632B-TC75 提供了以下顯著特性：
　　1. 高速性能：支持高達(dá)133MHz的工作頻率，能夠滿足大多數(shù)現(xiàn)代應(yīng)用的需求。
　　2. 穩(wěn)定性：采用先進(jìn)的制造技術(shù)，保證在各種環(huán)境下都能保持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)。
　　3. 節(jié)能設(shè)計(jì)：在提供高性能的同時(shí)，有效控制功耗，適用于對能耗敏感的應(yīng)用場景。
　　4. 易用性：兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，簡化了設(shè)計(jì)過程中的集成難度。
　　5. 多功能用途：廣泛適用于臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器、路由器等多種硬件平臺(tái)。

應(yīng)用

該芯片主要用于需要高效內(nèi)存管理的設(shè)備中，包括但不限于：
　　1. 計(jì)算機(jī)主板上的緩存模塊。
　　2. 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。
　　3. 工業(yè)控制系統(tǒng)的內(nèi)存擴(kuò)展。
　　4. 嵌入式系統(tǒng)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　由于其出色的性能和可靠性，K4S511632B-TC75 成為許多高性能計(jì)算環(huán)境的理想選擇。