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時(shí)間：2025/5/24 14:37:38
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K4F8E3S4HB-MFCJ 是一款由三星（Samsung）制造的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存顆粒，廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、服務(wù)器、桌面電腦以及筆記本電腦等領(lǐng)域。DDR5 是新一代內(nèi)存技術(shù)，相較于 DDR4 提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、更大的密度以及更低的功耗。
該型號(hào)屬于高容量和高速率的存儲(chǔ)芯片，支持多 bank 組架構(gòu)和更深的緩沖區(qū)設(shè)計(jì)，從而顯著提升了數(shù)據(jù)處理能力和系統(tǒng)性能。
類(lèi)型：DDR5 SDRAM
容量：8 Gb (1 Gx8)
工作電壓：1.1V
數(shù)據(jù)速率：6400 Mbps
I/O 寬度：x8
封裝類(lèi)型：FBGA 76b
工作溫度：-40°C 至 +95°C
刷新模式：自動(dòng)刷新
自定時(shí)自刷新：支持
低功耗模式：支持
K4F8E3S4HB-MFCJ 具備以下顯著特性：
1. 更高的帶寬：DDR5 的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 6400 Mbps，遠(yuǎn)超 DDR4 的最高 3200 Mbps，適用于需要快速數(shù)據(jù)交換的應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 雙通道架構(gòu)：DDR5 引入了片上糾錯(cuò)功能和雙子通道設(shè)計(jì)，進(jìn)一步減少了延遲并增強(qiáng)了穩(wěn)定性。
3. 超低功耗：采用 1.1V 工作電壓，比 DDR4 的 1.2V 更節(jié)能。
4. 高密度設(shè)計(jì)：通過(guò)更先進(jìn)的制程工藝實(shí)現(xiàn)了單顆芯片更大容量，同時(shí)保持小型化封裝。
5. 增強(qiáng)的 ECC 支持：內(nèi)置糾錯(cuò)功能，有效降低數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤率，提升系統(tǒng)的可靠性。
6. 環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)：能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適合多種環(huán)境條件下的應(yīng)用。
K4F8E3S4HB-MFCJ 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高性能計(jì)算：包括服務(wù)器、工作站和數(shù)據(jù)中心等對(duì)速度和容量要求極高的場(chǎng)合。
2. 消費(fèi)電子設(shè)備：如高端臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和游戲主機(jī)，以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)流暢體驗(yàn)的需求。
3. 工業(yè)與嵌入式系統(tǒng)：例如網(wǎng)絡(luò)路由器、工業(yè)控制器和其他需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備。
4. AI 和機(jī)器學(xué)習(xí)：為復(fù)雜算法提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)吞吐能力，加速模型訓(xùn)練和推理過(guò)程。
K4F8E3S4HB-MFCG
K4F8E3S4HB-MFCJ
K4F8E3S4HB-MFCM
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