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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K4F6E3S4HM-THCL

K4F6E3S4HM-THCL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 16:19:58 查看 閱讀�5

K4F6E3S4HM-THCL 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一� DDR5 SDRAM �(nèi)存顆�。它主要用于服務(wù)�、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦等高性能�(jì)算設(shè)備中,支持更快的�(shù)�(jù)傳輸速率和更高的容量需�。DDR5 技�(shù)的引入使得該芯片能夠提供比前代產(chǎn)品更出色的性能表現(xiàn)�
  這款�(nèi)存顆粒采用了先�(jìn)的制程工藝制造,具備低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),適合需要持�(xù)高效�(yùn)行的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:DDR5 SDRAM
  容量�8 Gb
  組織�(jié)�(gòu)�16Gb x 8/16
  工作電壓�1.1V
  �(shù)�(jù)速率�4800 Mbps~7200 Mbps
  封裝形式:BGA
  I/O�(biāo)�(zhǔn):DDR5
  溫度范圍�-40°C ~ +85°C

特�

K4F6E3S4HM-THCL 具備多項(xiàng)先�(jìn)特性以滿足�(xiàn)代計(jì)算需求:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá) 7200 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,顯著提升了系統(tǒng)整體性能�
  2. 更大帶寬:相� DDR4,DDR5 提供了雙倍的帶寬,有助于多任�(wù)處理和大型數(shù)�(jù)集運(yùn)��
  3. 節(jié)能設(shè)�(jì):采� 1.1V 工作電壓,有效降低功耗并提高能效�
  4. �(wěn)定性與可靠性:�(nèi)� ECC 功能,減少數(shù)�(jù)�(cuò)�,確保在�(guān)鍵應(yīng)用中的穩(wěn)定性�
  5. 小型化封裝:使用 BGA 封裝技�(shù),節(jié)� PCB 空間,便于集成到各種電子�(shè)備中�

�(yīng)�

K4F6E3S4HM-THCL 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(tái)式電腦和筆記本電腦:
  為�(gè)人用戶提供快速流暢的使用體驗(yàn),尤其在游戲、視頻編輯和圖形�(shè)�(jì)等高性能需求場(chǎng)景下表現(xiàn)出色�
  2. �(shù)�(jù)中心與服�(wù)器:
  支持大規(guī)模數(shù)�(jù)處理和云�(jì)算應(yīng)�,保障數(shù)�(jù)傳輸效率與系�(tǒng)�(wěn)定��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化與嵌入式系�(tǒng)�
  適用于對(duì)�(shí)�(shí)性和可靠要求較高的工�(yè)�(huán)�,助力智能制��
  4. 人工智能與機(jī)器學(xué)�(xí)�
  加速模型訓(xùn)練和推理過程,提� AI �(yīng)用性能�

替代型號(hào)

K4F6E3S4HB-THCL
  K4F6E3S4HC-THCL

k4f6e3s4hm-thcl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

k4f6e3s4hm-thcl�(chǎn)�