K4F6E3S4HM-MGCJ 是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款高性能 DDR4 SDRAM �(nèi)存顆�,廣泛應(yīng)用于臺式機、筆記本電腦以及服務(wù)器等�(shè)備中。該芯片支持高速數(shù)�(jù)傳輸和低功耗操作,符合 JEDEC 標準�(guī)�,能夠滿足現(xiàn)代計算平臺對�(nèi)存性能和效率的嚴格要求�
該型號的 DDR4 芯片具有高密度存儲能�,適用于多任�(wù)處理和大�(shù)�(jù)�(yīng)用環(huán)�,確保系�(tǒng)在運行復雜程序時保持�(wěn)定性和響應(yīng)速度�
容量�8Gb
電壓�1.2V
頻率�3200MT/s
I/O 寬度�8�
封裝類型:BGA
工作溫度�-40°C � +85°C
引腳�(shù)�78-ball
�(shù)�(jù)寬度:x8
K4F6E3S4HM-MGCJ 屬于 DDR4 系列�(nèi)存芯�,具備以下顯著特點:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 3200MT/s 的傳輸速率,有效提升系�(tǒng)的整體性能�
2. 低功耗設(shè)計:采用 1.2V 工作電壓,在保證性能的同時降低能�,適合長時間運行的設(shè)備�
3. �(wěn)定性強:具備先進的 ECC(糾錯碼)功�,可檢測并修復單比特錯誤,從而提高數(shù)�(jù)完整��
4. 小型化封裝:使用 BGA 封裝技�(shù),體積小�,便于集成到各種主板�(shè)計中�
5. 廣泛兼容:遵� JEDEC DDR4 標準,兼容多種主流平臺和操作系統(tǒng)�
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的測試流程,確保在不同工作條件下都能提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
K4F6E3S4HM-MGCJ 主要用于需要大容量、高速度和低功耗內(nèi)存的場景,具體包括:
1. 臺式機和筆記本電腦的�(nèi)存條制造�
2. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器領(lǐng)域的�(nèi)存擴��
3. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)中的高性能存儲需��
4. 游戲�(shè)備及圖形工作站等對內(nèi)存帶寬要求較高的�(lǐng)��
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備和其他智能硬件中的�(shù)�(jù)緩存功能實現(xiàn)�
K4F6E3S4HB-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGC
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