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K4E8E324ED-EGCG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 1:25:58 查看 閱讀：9

K4E8E324ED-EGCG 是一款由三星（Samsung）生產(chǎn)的 DDR4 ECC 內(nèi)存顆粒，主要應(yīng)用于服務(wù)器、工作站以及其他需要高可靠性和高性能的計(jì)算設(shè)備中。該內(nèi)存顆粒采用了先進(jìn)的制造工藝，在保證數(shù)據(jù)完整性和傳輸速度的同時(shí)，還具備較低的功耗特性。

參數(shù)

類型：DDR4 ECC
　　容量：8Gb (1GB)
　　電壓：1.2V
　　封裝形式：BGA
　　I/O標(biāo)準(zhǔn)：DDR4-2666
　　組織方式：x8
　　工藝：20nm
　　數(shù)據(jù)速率：2666Mbps
　　ECC支持：支持
　　溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

K4E8E324ED-EGCG 是專為高性能計(jì)算環(huán)境設(shè)計(jì)的內(nèi)存顆粒，具有以下顯著特性：
　　1. 支持糾錯(cuò)碼（ECC），可以檢測(cè)和糾正單比特錯(cuò)誤，從而顯著提升系統(tǒng)的可靠性。
　　2. 符合 DDR4 標(biāo)準(zhǔn)，提供高達(dá) 2666 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。
　　3. 使用 BGA 封裝技術(shù)，確保了更高的信號(hào)完整性和更小的物理尺寸。
　　4. 先進(jìn)的 20nm 制造工藝使得芯片在保持高性能的同時(shí)，降低了功耗。
　　5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
　　6. 適用于多通道內(nèi)存架構(gòu)，可滿足現(xiàn)代服務(wù)器和工作站對(duì)內(nèi)存帶寬的需求。

應(yīng)用

K4E8E324ED-EGCG 主要應(yīng)用于需要高可靠性和高性能的場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 企業(yè)級(jí)服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)。
　　2. 高性能計(jì)算（HPC）集群。
　　3. 工作站及圖形工作站。
　　4. 數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算平臺(tái)。
　　5. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，例如路由器和交換機(jī)。
　　6. 醫(yī)療成像設(shè)備及其他關(guān)鍵任務(wù)嵌入式系統(tǒng)。

替代型號(hào)

K4E8E324EB-GCGC, K4E8E324EC-GCGC

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