K4E6E304EC-EGCG 時(shí)間：2025/5/20 19:47:34 閱讀：15

K4E6E304EC-EGCG 是由三星（Samsung）生產(chǎn)的一款 DDR5 SDRAM 內(nèi)存顆粒。這款芯片主要應(yīng)用于高性能計(jì)算、服務(wù)器和臺(tái)式電腦等需要高帶寬內(nèi)存支持的場(chǎng)景。DDR5 技術(shù)相比上一代 DDR4 提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、更大的存儲(chǔ)密度以及更低的功耗，能夠滿足現(xiàn)代系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求。
　　該型號(hào)屬于 Samsung Green Package 系列，強(qiáng)調(diào)環(huán)保材料的使用，并且在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了電氣特性和信號(hào)完整性。

參數(shù)

類型：DDR5 SDRAM
　　容量：8Gb (1Gb x 8)
　　組織方式：16 Bank Groups
　　I/O 寬度：x8/x16
　　速度：6400Mbps
　　工作電壓：1.1V
　　封裝形式：FBGA 96-ball
　　溫度范圍：-20°C to +95°C
　　引腳間距：0.65mm

特性

K4E6E304EC-EGCG 具備多項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)特性，包括但不限于以下幾點(diǎn)：
　　1. 更高的數(shù)據(jù)傳輸速率：支持高達(dá) 6400Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速度，為系統(tǒng)提供了更強(qiáng)大的內(nèi)存帶寬。
　　2. On-Die ECC 功能：內(nèi)置錯(cuò)誤檢查與糾正功能，可以有效提升數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
　　3. 低功耗設(shè)計(jì)：通過(guò)降低工作電壓至 1.1V，大幅減少能耗并提高能效比。
　　4. 改進(jìn)的信號(hào)完整性：采用新型電路設(shè)計(jì)，減少了噪聲干擾，提升了整體性能。
　　5. 環(huán)保材料：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，使用無(wú)鉛焊球封裝工藝，減少對(duì)環(huán)境的影響。
　　6. 高密度存儲(chǔ)：?jiǎn)晤w芯片即可提供 8Gb 的存儲(chǔ)容量，適合構(gòu)建大容量?jī)?nèi)存模塊。

應(yīng)用

K4E6E304EC-EGCG 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域和設(shè)備中，例如：
　　1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦的內(nèi)存條。
　　2. 數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)服務(wù)器。
　　3. 高性能計(jì)算 (HPC) 系統(tǒng)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化控制設(shè)備。
　　5. 嵌入式系統(tǒng)中的大容量存儲(chǔ)解決方案。
　　6. 圖形處理單元 (GPU) 和其他專用加速器所需的高速緩存內(nèi)存。
　　7. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備如路由器和交換機(jī)的主內(nèi)存部分。