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K4B4G1646E-BYK0 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:51:20 查看 閱讀�30

K4B4G1646E-BYK0 是三星(Samsung)推出的一� DDR3L SDRAM 芯片,廣泛應(yīng)用于�(jì)算機(jī)、服�(wù)器和其他需要高性能存儲的電子設(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),適合對�(nèi)存性能要求較高的應(yīng)用場��
  DDR3L � DDR3 的一個低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相比標(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更節(jié)能。K4B4G1646E-BYK0 提供了高速的�(shù)�(jù)傳輸速率和大容量的存儲能�,是�(xiàn)代計(jì)算系�(tǒng)中的重要組成部分�

參數(shù)

類型:DDR3L SDRAM
  容量�4Gb (512MB x 8)
  組織�(jié)�(gòu)�16M x 16 x 8 Banks
  電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�1600 Mbps
  封裝:FBGA 92-ball
  工作溫度�-40°C � +85°C
  引腳間距�1mm

特�

K4B4G1646E-BYK0 具有以下主要特性:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá) 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)速率,能夠滿足高性能�(jì)算的需��
  2. 低功耗設(shè)�(jì):工作電壓為 1.35V,相較于傳統(tǒng)� DDR3 芯片降低了功耗,有助于延長電池壽命并減少散熱需��
  3. 大容量:單顆芯片容量�(dá)� 4Gb,提供了更高的存儲密��
  4. �(wěn)定性:采用了先�(jìn)的制造工藝,確保在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化封裝:使用 FBGA 92-ball 封裝,尺寸緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -40°C � +85°C 的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境條件�

�(yīng)�

K4B4G1646E-BYK0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 筆記本電腦和超極本:
  由于其低功耗特性和高性能,K4B4G1646E-BYK0 是筆記本電腦和超極本的理想選�,能夠提供快速的�(shù)�(jù)訪問和較長的電池�(xù)航時��
  2. 服務(wù)器和工作站:
  在服�(wù)器和工作站中,該芯片可以用于�(gòu)建高密度�(nèi)存模�,以支持多任�(wù)處理和大�(shù)�(jù)�(yīng)��
  3. 嵌入式系�(tǒng)�
  適用于工�(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信和消�(fèi)類電子產(chǎn)品等嵌入式系�(tǒng),提供可靠的�(nèi)存解決方��
  4. 游戲�(shè)備:
  在游戲主�(jī)和高端顯卡中,K4B4G1646E-BYK0 可以為圖形處理提供快速的�(shù)�(jù)傳輸和支��

替代型號

K4B4G1646E-BCK0
  K4B4G1646F-BCA0
  K4B4G1646Q-BCK0

k4b4g1646e-byk0推薦供應(yīng)� 更多>

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