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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K4B4G1646E-BMMA

K4B4G1646E-BMMA 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 10:16:41 查看 閱讀�24

K4B4G1646E-BMMA是三星(Samsung)推出的一款DDR3 SDRAM�(nèi)存芯�,主要用于需要高性能�(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具有低功�、高頻率和大容量的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、服�(wù)器以及嵌入式系統(tǒng)中�
  DDR3�(nèi)存以其更快的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的功�,相較于前代DDR2有了顯著改�(jìn),成為當(dāng)時主流的�(nèi)存解決方��

參數(shù)

類型:DDR3 SDRAM
  容量�4Gb (512MB x 8)
  組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
  核心電壓(Vcc)�1.35V
  I/O電壓(Vccq)�1.35V
  工作頻率�1600MHz
  封裝形式:BGA 78-ball
  �(shù)�(jù)寬度:x8
  引腳間距�1.0mm
  溫度范圍�0°C ~ 85°C

特�

K4B4G1646E-BMMA采用DDR3技�(shù),支持On-Die Termination (ODT),以減少信號反射并提高信號完整��
  它具備自動刷新和自刷新功�,可以在系統(tǒng)待機(jī)時降低功耗�
  該芯片還支持8位預(yù)取架�(gòu),使�(nèi)部數(shù)�(jù)傳輸速率更高,從而實(shí)�(xiàn)更高的外部數(shù)�(jù)帶寬�
  同時,其采用了低溫焊接工藝和更小尺寸的封�,使其非常適合對空間要求較高的應(yīng)用環(huán)境�
  此外,它在制造過程中�(yán)格控制了功�,確保符合現(xiàn)代電子設(shè)備對節(jié)能的需��

�(yīng)�

K4B4G1646E-BMMA主要�(yīng)用于需要高性能存儲的領(lǐng)�,例如:
  個人計算�(jī)(PC)和筆記本電腦中的內(nèi)存模塊(DIMM � SO-DIMM)�
  �(wǎng)�(luò)�(shè)備如路由器和交換�(jī)中的高速緩��
  工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲與處��
  游戲主機(jī)和圖形工作站等需要大量數(shù)�(jù)吞吐的應(yīng)用場景�
  嵌入式系�(tǒng)中的�(guān)鍵存儲組�,如�(shù)字標(biāo)牌、安防監(jiān)控設(shè)備等�

替代型號

K4B4G1646F-BMCA, K4B4G1646Q-BCK0

k4b4g1646e-bmma推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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