K4B1G1646E-HCH9是三星(Samsung)推出的一款DDR3L SDRAM�(nèi)存芯�,主要應(yīng)用于需要低功耗的移動(dòng)�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,支持低電壓操作以延長電池續(xù)航時(shí)�,同�(shí)具備高帶寬和�(wěn)定�,廣泛用于智能手�(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中�
DDR3L技�(shù)通過降低工作電壓�1.35V�,相比標(biāo)�(zhǔn)DDR3�1.5V)可以有效減少功�,并且保持與�(biāo)�(zhǔn)DDR3相同的性能表現(xiàn)�
容量�1Gb (128Mb x 8)
類型:DDR3L SDRAM
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�78-ball
組織�(jié)�(gòu)�8-bank architecture
工作溫度�-40°C to +85°C
I/O�(biāo)�(zhǔn)� SSTL 1.35
K4B1G1646E-HCH9具有以下主要特性:
1. 支持DDR3L�(biāo)�(zhǔn),提供高�(dá)1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代移�(dòng)�(shè)備對(duì)高速數(shù)�(jù)處理的需求�
2. 采用1.35V低功耗設(shè)�(jì),顯著降低能耗,非常適合電池供電的設(shè)��
3. 高密度存�(chǔ)能力,在單顆芯片�(nèi)提供1Gb的存�(chǔ)容量,有助于減少PCB空間占用�
4. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自刷新功能,確保數(shù)�(jù)完整性和低功耗待�(jī)模式�
5. 支持突發(fā)長度�4�8,能夠靈活適�(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景的需��
6. 具備ODT(On-Die Termination)功�,優(yōu)化信�(hào)完整性并提高系統(tǒng)可靠性�
7. 工作溫度范圍�,能夠在-40°C�+85°C的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)��
K4B1G1646E-HCH9適用于多種低功耗高性能的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)備的主內(nèi)��
2. 嵌入式系�(tǒng)中的圖形處理和多媒體�(yīng)��
3. 可穿戴設(shè)備以及其他需要緊湊設(shè)�(jì)和高效能的電子產(chǎn)��
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的緩存和�(shù)�(jù)緩沖�
5. �(yī)療設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)組件�
K4B1G1646D-HYH7, K4B1G1646Q-HYH7