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JXI5020GP 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 16:03:35 查看 閱讀�32

JXI5020GP是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導體制造工藝,廣泛應用于各種電源管理場�。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,非常適合用于高效能轉換電路�
  這款功率MOSFET主要用于直流-直流轉換�、開關電源、電機驅動以及負載切換等應用領域。其設計�(yōu)化了高頻工作條件下的能耗,從而提升了整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  導通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  總功�(Ptot)�180W
  結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

JXI5020GP具備以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)的整體效��
  2. 快速開關性能,支持高頻應用場�,減少開關損��
  3. 高電流承載能�,適合大功率應用需��
  4. 具備良好的熱�(wěn)定性和耐熱沖擊能力,確保在極端條件下仍能可靠運��
  5. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保設�,無有害物質使用�
  6. 封裝堅固耐用,提供高效的散熱路徑,適用于高功率密度設��

應用

JXI5020GP主要應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關元件�
  2. 直流-直流轉換器中作為同步整流器或降壓/升壓轉換器的關鍵組件�
  3. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動控制�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護功��
  5. 大功率LED驅動電路中的關鍵功率處理單元�
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電��

替代型號

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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