JST70N40D5G是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換場�。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要應(yīng)用于需要高效功率管理的場合。其封裝形式為TO-263(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高電流處理能力和出色的熱性能�
由于其卓越的電氣特性和可靠性,JST70N40D5G被廣泛用于工�(yè)控制、消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及其他對效率和性能要求較高的領(lǐng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�70A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�89nC
開關(guān)時間:典型值ton=12ns,toff=17ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝類型:TO-263
JST70N40D5G具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá)70A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,確保在高頻工作條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠承受極端溫度環(huán)�,從-55℃到+175℃的工作�(jié)溫范��
5. 采用TO-263封裝,兼容自動化生產(chǎn)和表面貼裝工藝�
6. 高可靠性設(shè)�,滿足嚴(yán)苛的工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)和長期運(yùn)行需求�
JST70N40D5G適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)動器和逆變器電路中的功率開�(guān)�
3. 蓄電池管理系�(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
4. 充電�、適配器和其他便攜式�(shè)備的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制單元�
6. 通信電源和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)的功率級組件�
JST70N40D5L, IRF7729PBF, FDP75N40AE