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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > JSM125N04D

JSM125N04D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:01:51 查看 閱讀�11

JSM125N04D是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻、高效能�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于電源�(zhuǎn)換、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類高頻功率�(yīng)用中�
  由于其材料特性和�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),JSM125N04D能夠在高頻率下保持較低的能量損�,同�(shí)提供出色的散熱性能,非常適合對(duì)效率和體積要求較高的�(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:電阻:4mΩ
  柵源開啟電壓�1.8V~3.6V
  開關(guān)速度:納秒級(jí)
  工作溫度范圍�-55℃~+175�

特�

JSM125N04D采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 高效功率�(zhuǎn)換:得益于低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在高頻開關(guān)條件下可顯著減少能量損��
  2. 快速開�(guān)能力:納秒級(jí)開關(guān)速度使其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 高溫適應(yīng)性:工作溫度范圍寬廣,最高可�(dá)175℃,滿足工業(yè)及汽車環(huán)境需��
  4. 小型化設(shè)�(jì):與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GaN器件能夠在更小的芯片面積上實(shí)�(xiàn)更高的性能�
  5. �(wěn)定性強(qiáng):在高溫、高壓和高頻�(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定�,延�(zhǎng)使用壽命�

�(yīng)�

JSM125N04D主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源管理:包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器,太�(yáng)能逆變器等�
  2. 汽車電子:如車載充電器(OBC)、DC-DC變換器等�
  3. 工業(yè)�(shè)備:高頻焊機(jī)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和不間斷電源(UPS��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:快充適配器、筆記本電腦電源��
  其高頻、高效和小型化的特點(diǎn)使其成為�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�

替代型號(hào)

JSM100N04D
  JSM150N04D
  GXT125N04D

jsm125n04d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)