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JS12U1GD50-3 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:28:21 查看 閱讀�8

JS12U1GD50-3是一款基于硅技�(shù)制造的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高電壓�(yīng)用設(shè)�。該器件具有�(yōu)異的開關(guān)性能和較低的�(dǎo)通電�,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻開�(guān)條件下保持高效運��
  JS12U1GD50-3適用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�、太陽能逆變器以及其他需要高效率功率�(zhuǎn)換的場景。其封裝形式通常采用�(biāo)�(zhǔn)TO-247或TO-220,便于散熱管理和電路集成�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  漏源電壓(Vds)�1200V
  連續(xù)漏極電流(Id)�16A
  柵極電荷(Qg)�95nC
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
  功�(Ptot)�240W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝:TO-247

特�

JS12U1GD50-3具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá)1200V的工作電�,適合高壓環(huán)境下的功率控制應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為0.18Ω,有效減少傳�(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:柵極電荷較�,僅�95nC,確??焖匍_�(guān)操作并降低開�(guān)損耗�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在-55℃到+175℃的寬溫范圍�(nèi)�(wěn)定工�,適用于極端�(huán)境�
  5. 封裝�(yōu)化:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-247封裝,具備良好的散熱性能,方便安裝和使用�
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,滿足工業(yè)級應(yīng)用對可靠性的要求�

�(yīng)�

JS12U1GD50-3廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:包括開�(guān)電源、不間斷電源(UPS)�,提供高效穩(wěn)定的功率�(zhuǎn)換�
  2. 電機(jī)�(qū)動:用于大功率電�(jī)控制系統(tǒng),實�(xiàn)精確的速度和扭矩調(diào)節(jié)�
  3. 太陽能逆變器:將直流電高效�(zhuǎn)換為交流�,用于太陽能�(fā)電系�(tǒng)�
  4. 電動汽車:應(yīng)用于電動車的動力管理系統(tǒng),提升電池利用率和續(xù)航里程�
  5. 其他高壓功率電子�(shè)備:如焊接機(jī)、激光設(shè)備等,滿足高功率需求的�(yīng)用場��

替代型號

JS12U1GD50-3P
  IRFP460
  FDP18N120
  CSS40120P

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