JMK105C6105KVLF是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于高電壓場景中的開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及快速開關(guān)速度等特性,非常適合于需要高效能和高可靠性的電力電子設(shè)備。
該芯片主要面向工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
型號:JMK105C6105KVLF
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源極電壓(Vds):1050V
最大柵源極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):6A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.4Ω(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):180W
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247
JMK105C6105KVLF具有以下關(guān)鍵特性:
1. 高耐壓能力:最大漏源極電壓高達1050V,適用于各種高壓場景。
2. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V時,導(dǎo)通電阻僅為0.4Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能:具備較短的開關(guān)時間和較低的輸入電容,從而減少開關(guān)損耗。
4. 高可靠性:經(jīng)過嚴格的測試流程,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性和耐用性。
5. 寬工作溫度范圍:支持從-55℃到+175℃的結(jié)溫范圍,適合多種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
6. 強大的抗雪崩能力:能夠承受較高的能量沖擊,增強系統(tǒng)的安全性。
該芯片的主要應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開關(guān)管或同步整流管使用。
2. 電機驅(qū)動:用于驅(qū)動直流無刷電機或其他類型的電動機。
3. 逆變器:在光伏逆變器和其他類型的逆變器中充當(dāng)功率開關(guān)。
4. DC-DC轉(zhuǎn)換器:用于升壓、降壓及多相轉(zhuǎn)換等拓撲結(jié)構(gòu)。
5. 充電器:為各類充電設(shè)備提供高效的功率控制。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備:如PLC控制器、伺服驅(qū)動器等。
JMK105C6105KVLG, IRFP260N, STP12NM60E