JEB36DF是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及開�(guān)電路�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場景。其封裝形式通常為TO-220,能夠承受較高的電流和電��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�36A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:開啟延遲時�10ns,上升時�15ns,關(guān)斷傳播時�25ns
JEB36DF具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可以有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場��
3. 較高的電流承載能�,可滿足大功率需��
4. 封裝散熱性能良好,有助于提高系統(tǒng)的整體穩(wěn)定��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了芯片在惡劣�(huán)境下的可靠性�
JEB36DF的主要應(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. 直流電機(jī)�(qū)動電路�
3. 電池保護(hù)及負(fù)載切��
4. LED�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的功率開�(guān)�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制模��
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5802