JEB03D3 時(shí)間：2025/5/21 19:17:42 閱讀：7

JEB03D3是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）電子元器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
　　JEB03D3屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其設(shè)計(jì)旨在滿足高電流和高頻應(yīng)用需求。通過(guò)優(yōu)化柵極電荷和導(dǎo)通電阻之間的平衡，這款器件在多種工作條件下表現(xiàn)出色，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：3.8A
　　導(dǎo)通電阻：45mΩ
　　柵極電荷：10nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值10ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

特性

JEB03D3的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　4. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于PCB布局和集成。
　　5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提高器件抗靜電能力。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

應(yīng)用

JEB03D3適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)器件。
　　4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)電路。
　　5. 各類(lèi)便攜式設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制與驅(qū)動(dòng)部分。