時間：2025/5/29 9:58:06
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JANTX2N6798 是一種高性能的 N 溝道硅功率場效應晶體管 (MOSFET)，常用于高可靠性要求的軍事和航空航天領域。該器件采用 TO-3 封裝形式，能夠承受較高的電壓和電流，同時具有較低的導通電阻。其主要功能是作為開關效率和可靠性的應用場景。
該型號屬于軍用級產(chǎn)品，經(jīng)過嚴格的篩選和測試以確保在極端溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓：100V
最大漏極電流：40A
功耗：125W
柵極閾值電壓：3V~8V
導通電阻：0.045Ω
結溫范圍：-55℃~+175℃
JANTX2N6798 具有以下顯著特性：
1. 軍用級品質，能夠在極端環(huán)境下保持高可靠性。
2. 高耐壓能力，適合高壓電路應用。
3. 較低的導通電阻，減少功率損耗并提高效率。
4. 適用于高頻開關應用，支持快速切換。
5. 符合 MIL-PRF-19500 標準，保證了在高溫、低溫以及振動環(huán)境下的穩(wěn)定性。
6. TO-3 封裝便于散熱處理，適用于大功率場景。
JANTX2N6798 主要應用于以下領域：
1. 軍事和航空航天電子設備中的電源管理模塊。
2. 工業(yè)控制設備中的功率轉換電路。
3. 大功率電機驅動器和逆變器。
4. 高效 DC-DC 轉換器和開關電源設計。
5. 高頻放大器和其他需要高可靠性和高效能的場景。
2N6798, IRF840
