JANTX1N6508是一種軍用級別的N溝道MOSFET晶體管,符合美國軍用�(biāo)�(zhǔn)(MIL-STD�,具有高可靠性、耐高溫和抗輻射能�。該器件適用于需要高�(wěn)定性和極端�(huán)境條件下的應(yīng)�,例如航空航�、軍事設(shè)備和其他高要求領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-92或TO-220,具體取決于制造商的規(guī)��
最大漏源電壓:600V
最大柵極源極電壓:±20V
最大連續(xù)漏極電流�1A
最大脈沖漏極電流:4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω
總功耗:2W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
JANTX1N6508具備卓越的電氣性能和機械性能,主要特點包括:
1. 高擊穿電�,適合高壓電路設(shè)計�
2. 軍用級質(zhì)量控�,確保在極端溫度和振動條件下長期可靠運行�
3. 較低的導(dǎo)通電阻,在開�(guān)�(yīng)用中提供更高的效��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持性能不變�
5. 抗輻射增強型�(shè)�,適合太空和高輻射環(huán)境的�(yīng)��
JANTX1N6508廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 軍事通信�(shè)備中的電源管理模��
2. 航空航天器內(nèi)的開�(guān)電路和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
3. 核工�(yè)�(huán)境中對電子元器件要求苛刻的場��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高壓驅(qū)動電��
5. �(yī)療成像設(shè)備及其他需要高精度和高�(wěn)定性的�(yī)療儀器�
TX1N6508, JANTX1N6508G, JANTX1N6508H