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J202_D26Z 發(fā)布時間 時間�2023/11/30 17:21:05 查看 閱讀�253

類別:分離式半導體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導體產(chǎn)�
家庭:JFET(結(jié)點場效應
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)�900μA @ 20V
漏極至源極電�(Vdss)�-
漏極電流 (Id) - 最大:-
FET 型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)�40V
電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id�800mV @ 10nA
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �-
電阻 - RDS(開):-
安裝類型:通孔
包裝:帶� (TR)
封裝/外殼:TO-92-3(標準主體),TO-226
功率 - 最大:625mW

j202_d26z推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

j202_d26z參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭JFET(結(jié)點場效應
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)900µA @ 20V
  • 漏極至源極電�(Vdss)-
  • 漏極電流 (Id) - 最�-
  • FET �N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)40V
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id800mV @ 10nA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 電阻 - RDS(開�-
  • 安裝類型通孔
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引�
  • 供應商設備封�TO-92-3
  • 功率 - 最�625mW