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J111 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 14:33:26 查看 閱讀:3

J111是一種NPN型硅功率晶體管,主要用于開關和放大應用。該晶體管具有較高的電流增益和耐壓能力,適用于多種電力電子設備中。它廣泛應用于工業(yè)控制、家用電器以及電源管理等領域。
  這種晶體管的外形通常為金屬封裝,有助于提高散熱性能,從而保證在高功率條件下的穩(wěn)定運行。

參數

集電極-發(fā)射極電壓:80V
  集電極電流:4A
  直流電流增益:30~150
  功率耗散:25W
  結溫范圍:-55℃~150℃

特性

J111晶體管具有良好的高頻響應和較低的飽和電壓,在開關應用中表現出優(yōu)異的性能。
  此外,其較高的擊穿電壓和大電流承載能力使得該器件能夠在較為嚴苛的工作環(huán)境下可靠運行。
  該晶體管還具備較短的開關時間,適合用于脈寬調制(PWM)等高頻場景。同時,它的封裝設計能夠有效降低熱阻,確保長時間運行時的溫度穩(wěn)定性。

應用

J111晶體管可廣泛應用于各種電路中,例如電機驅動、繼電器控制、電源開關、音頻放大器以及其他需要功率放大的場合。
  在工業(yè)領域,它可以用來實現對大功率負載的精確控制;在家用電器方面,如洗衣機、空調等產品中也經常能看到其身影。
  此外,由于其優(yōu)良的電氣特性和性價比,J111也成為許多DIY項目中的首選功率晶體管之一。

替代型號

2N3055,MJ2955

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j111參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭JFET(結點場效應
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
  • 漏極至源極電壓(Vdss)-
  • 漏極電流 (Id) - 最大-
  • FET 型N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)35V
  • 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id3V @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 電阻 - RDS(開)30 歐姆
  • 安裝類型通孔
  • 包裝散裝
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 標準主體
  • 供應商設備封裝TO-92-3
  • 功率 - 最大625mW
  • 其它名稱J111FS