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J110 發(fā)布時間 時間�2023/3/13 15:10:04 查看 閱讀�757

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:JFET(結(jié)�(diǎn)場效�(yīng)

    系列�-

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:JFET(結(jié)�(diǎn)場效�(yīng)

    系列�-

    電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)�10mA @ 15V

    漏極至源極電�(Vdss)�-

    漏極電流 (Id) - 最大:-

    FET 型:N 溝道

    電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)�25V

    電壓 - 切斷 (VGS �(guān))@ Id�500mV @ 10nA

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �-

    電阻 - RDS(開):18 歐姆

    安裝類型:通孔

    包裝:散�

    封裝/外殼:TO-92-3(標(biāo)�(zhǔn)主體�,TO-226

    功率 - 最大:625mW

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱:J110FS


資料

廠商
InterFET
VISHAY

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j110參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭JFET(結(jié)�(diǎn)場效�(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 15V
  • 漏極至源極電�(Vdss)-
  • 漏極電流 (Id) - 最�-
  • FET �N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)25V
  • 電壓 - 切斷 (VGS �(guān))@ Id500mV @ 1µA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 電阻 - RDS(開�18 歐姆
  • 安裝類型通孔
  • 包裝散裝
  • 封裝/外殼TO-226-3、TO-92-3 �(biāo)�(zhǔn)主體
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-92-3
  • 功率 - 最�310mW
  • 其它名稱J110OS