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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXTQ180N085T

IXTQ180N085T 發(fā)布時間 時間�2024/9/6 14:41:02 查看 閱讀�559

技�(shù)參數(shù)

耗散功率:430W(Tc)
  漏源極電�(Vds):85 V
  輸入電容(Ciss):7500pF 25V(Vds)
  耗散功率(Max):430W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù):3
  封裝:TO-3-3

物理參數(shù)

工作溫度:-55℃~175�(TJ)

ixtq180n085t推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixtq180n085t參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchMV™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)85V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C180A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐 @ 25A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7500pF @ 25V
  • 功率 - 最�430W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應商設備封�TO-3P
  • 包裝管件