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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IXTP2N100P

IXTP2N100P 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/9/6 14:42:56 查看 閱讀�561

技�(shù)參數(shù)

極�:N-CH
  耗散功率:86W(Tc)
  漏源極電�(Vds):1000 V
  連續(xù)漏極電流(Ids):2A
  上升�(shí)�:29 ns
  輸入電容(Ciss):655pF 25V(Vds)
  下降�(shí)�:27 ns
  工作溫度(Max):150�
  工作溫度(Min):-55�
  耗散功率(Max):86W(Tc)

封裝參數(shù)

安裝方式:Through Hole
  引腳�(shù):3
  封裝:TO-220-3

物理參數(shù)

工作溫度:-55℃~150�(TJ)

ixtp2n100p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ixtp2n100p參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列Polar™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)1000V�1kV�
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds655pF @ 25V
  • 功率 - 最�86W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件