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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IXGN200N60B3

IXGN200N60B3 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 14:56:07 查看 閱讀�750

    類別:半導體模塊

    家庭:IGBTs

    系列:GenX3?

 


目錄

概述

    類別:半導體模塊

    家庭:IGBTs

    系列:GenX3?

    IGBT 類型:PT

    配置:單一

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�600V

    Vge, Ic時的最大Vce(開):1.5V @ 15V, 100A

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�300A

    電流 - 集電極截止(最大)�50?A

    Vce 時的輸入電容 (Cies)�26nF @ 25V

    功率 - 最大:830W

    輸入:標準型

    NTC 熱敏電阻:無

    安裝類型:底座安�

    封裝/外殼:SOT-227, miniBLOC

    供應商設備封裝:*



資料

廠商
IXYS

ixgn200n60b3推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixgn200n60b3參數(shù)

  • 標準包裝20
  • 類別半導體模�
  • 家庭IGBT
  • 系列GenX3™
  • IGBT 類型PT
  • 配置單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.5V @ 15V�100A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)300A
  • 電流 - 集電極截止(最大)50µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)26nF @ 25V
  • 功率 - 最�830W
  • 輸入標準�
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封�SOT-227B