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IXFX120N25 發(fā)布時間 時間�2024/9/23 11:39:13 查看 閱讀�206

參數(shù)

類別:分離式半導體產�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�22毫歐 500mA,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�250V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�120A
  Id時的Vgs(th)(最大)�4V 8mA
  閘電�(Qg) Vgs�400nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�9400pF 25V
  功率-最大:560W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:PLUS247?-3
  包裝:管�

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ixfx120n25參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 8mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs400nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最�560W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商設備封�PLUS247?-3
  • 包裝管件