類別:分離式半導體產�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點:標準型
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�22毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�250V
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�120A
Id時的Vgs(th)(最大)�4V 8mA
閘電�(Qg) Vgs�400nC 10V
在Vds時的輸入電容(Ciss)�9400pF 25V
功率-最大:560W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:PLUS247?-3
包裝:管�