類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�750毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�1000V(1kV)
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�14A
Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�4.5V 4mA
閘電�(Qg) Vgs�220nC 10V
在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�4500pF 25V
功率-最大:360W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:TO-268
包裝:管�