�(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET-�
系列:HiPerFET?
FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�900毫歐 500mA,10V
漏極至源極電�(Vdss)�1000V(1kV)
電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�12.5A
Id�(shí)的Vgs(th)(最大)�4.5V 4mA
閘電�(Qg) Vgs�155nC 10V
在Vds�(shí)的輸入電�(Ciss)�4000pF 25V
功率-最大:300W
其它名稱:Q2093962
安裝�(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268
包裝:管�